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为了确认WS2/a-Al2O3的外延生长关系，逃离进行了掠角X射线衍射，结果表明WS2的锯齿形边缘平行于a-Al2O3的（1-100）方向，这与光学和AFM表征一致。梯形WS2单晶的最长边缘是沿蓝宝石方向的锯齿状边缘，农村而不是沿蓝宝石表面的台阶边缘方向。

WS2单层的高质量通过光致发光旋光选择性~55%证明，于离与剥离的WS2薄片相当。第一作者：理想终王金焕、理想终徐小志、程婷、顾乐华通讯作者：刘开辉、丁峰、吴施伟、赵芸通讯单位：北京大学、韩国蔚山基础科学研究院、复旦大学、北京理工大学论文doi：https://doi.org/10.1038/s41565-021-01004-0本文由温华供稿。晶圆级二维TMD单晶在石墨烯之外的绝缘层和过渡金属表面hBN的成功生长，逃离为二维半导体在下一代集成光学和电子器件高端应用中提供了必要的基石。

因此，农村本工作认为WS2晶畴在a-Al2O3表面的单向排列的机制一定不同于石墨烯和hBN在金属表面的排列。成果简介北京大学刘开辉、于离韩国蔚山基础科学研究院丁峰、于离复旦大学吴施伟、北京理工大学赵芸以及华南师范大学徐小志课题组合作，报道了2in（英寸）单层单晶WS2在a面蓝宝石衬底上成功的外延生长。

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